Proposé dans un petit boîtier LGA de 1,53×0,77mm, le dernier FemtoFET de Texas Instruments affiche par ailleurs une résistance à l’état passant de 54mOhms seulement.

Texas Instruments introduit un transistor de puissance FemtoFET canal N de 60V dans un boîtier LGA (Land Grid Array) dont les dimensions sont de 1,53×0,77 seulement. Par rapport aux commutateurs de charge 60V usuels en boîtier SOT-23, l’empreinte est de 80% inférieure. Référencé CSD18541F5, ce Mosfet protégé contre les décharges électrostatiques affiche une résistance à l’état passant de 54mOhms, pour une tension grille-source de 10V. Soit bien moins que les produits existants (le gain atteindrait 90%). Par quantité de 1000 pièces, son prix unitaire est de 0,14$.