Par rapport à une solution faisant appel à des Mosfet discrets, le SiP32101 de Vishay permet une économie jusqu’à 91 % de l’espace occupé sur la carte.

Le dernier commutateur de batterie de Vishay Intertechnology est crédité d’une résistance à l’état passant de 6,5 mOhms à 3,3 V. Conçu pour les applications portables (smartphones, tablettes, appareils photo numériques, appareils médicaux…), le SiP32101 offre deux intérêts majeurs.

En premier lieu, encapsulé dans un boîtier WCSP à 12 contacts, le circuit se montre fort discret puisque son empreinte est inférieure à 2,3 mm² (1,3×1,7 mm) seulement. Par rapport aux solutions faisant appel à des Mosfet discrets, le gain de place sur la carte est estimé à 91%.

En second lieu, ce commutateur bidirectionnel se contente d’un courant de repos de 0,015 nA. Il fonctionne par ailleurs avec une tension d’entrée comprise entre 2,3 V et 5,5 V. Sa broche de sélection est activeau niveau bas, simplifiant de la sorte l’interfaçage avec les GPIO basse tension.

Le SiP32101 est actuellement disponible. Il fonctionne dans la gamme de température -40°C à +85°C.