Une société américaine vient de présenter ce qu’elle affirme être le premier amplificateur radiofréquences 3G en technologie Cmos.
La jeune pousse américaine Black Sand Technologies vient d’annoncer avoir produit le premier amplificateur de puissance radiofréquences 3G en technologie Cmos silicium au monde. Une prétention qui malheureusement ne s’accompagne pas de précisions techniques et qui est à relativiser sachant qu’à notre connaissance, elle a déjà été faite par la société française Acco Semiconducteur, sans plus de précisions techniques.
L’Américain a cependant su convaincre des investisseurs, notamment Northbridge Venture Partners qui, associé à Austin Ventures, a rajouté 10 millions de dollars dans la jeune pousse. Celle-ci avait déjà levé 8,2 millions de dollars.
John Diehl, p-dg de Black Sand Technologies, se dit persuadé que l’architecture d’amplificateur 3G Cmos mise en œuvre va permettre un revirement de l’arséniure de gallium vers le Cmos pour les prochains terminaux 3G
