La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

Infineon Technologies complète sa gamme CoolSiC de Mosfet à base de carbure de silicium avec des versions de 650 V. Les applications ciblées sont notamment les alimentations à découpage industrielles, le stockage de l’énergie, les onduleurs solaires, la commande moteur, la recharge des véhicules électriques, les serveurs et les applications télécoms.
Ces Mosfet 650 V sont proposés dans des boîtiers TO-247 à 3 broches ou à 4 broches. Leur résistance à l’état passant va de 27 à 107 mOhms. A l’instar de leurs prédécesseurs, les nouveaux venus tirent profit de la technologie en tranchée de l’allemand. Ils sont caractérisés par un gain de transconductance élevé, une tension de seuil de 4 V et une grande robustesse vis-à-vis des courts-circuits. Trois pilotes de grille dédiés seront disponibles en mars.