Toshiba inaugure une variante du boîtier TO-247 dotée d’une broche additionnelle qui réduit les pertes en découpage des transistors MosFet rapides.
Toshiba ajoute à ses options d’encapsulation un boîtier TO-247 à quatre broches pour transistors MosFet, destiné aux puces DTMos-H rapides du japonais. Par rapport aux TO-247 classiques à trois broches, la connexion additionnelle permet ici d’augmenter le di/dt et donc le rendement, pour des pertes en commutation réduites d’environ 15%.
Ce boîtier TO-247 à quatre broches est d’ores et déjà disponible pour quatre modèles de transistors DTMos-H caractérisés par une tension Vdss de 600V et une résistance à l’état passant variant de 40 à 125mOhms selon les composants.
