La société a dévoilé ses deux premiers Mosfet issus de la famille MDmesh K5 dont la tension de claquage est de 1500V.

STMicroelectronics complète sa famille MDmesh K5 de Mosfet de puissance avec des éléments combinant les bénéfices de la technologie à superjonction (structure verticale propriétaire) et une tension de claquage drain-source portée à 1500V (1200V max. auparavant). Caractérisés par un excellent facteur de mérite (le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille), ces transistors entendent améliorer la densité de puissance, la robustesse et la marge de sécurité des systèmes fonctionnant en commutation (alimentations à découpage pour les serveurs, applications industrielles…).

D’un côté, le STW12N150K5 est un modèle de 1500V/7A affichant une résistance à l’état passant de 1,6Ohm et une charge de grille de 47nC. De l’autre, le STW21N150K5 est un Mosfet de 1500V/14A, dont la résistance est de seulement 0,7Ohm, pour une charge de grille de 89nC. Tous les deux sont disponibles en boîtier TO-247, à un prix unitaire de 14$, par quantité de 1000 pièces.