Le dernier Mosfet 30 V en boîtier de 5×6 mm du taïwanais Advanced Power Electronics affiche une résistance maximale à l’état passant de 0,99 mOhm.
Advanced Power Electronics (APEC) annonce un Mosfet 30 V canal N dont la résistance maximale à l’état passant est de 0,99 mOhm (VGS=10 V, ID=25 A) seulement. Ce qui se traduit par des pertes minimales en régime de conduction. A une tension grille-source de 5 V, cette RDS(on) n’excède pas 2 mOhms, au courant indiqué.
Référencé AP1A003GMT-HF-3, ce transistor affiche un courant de drain de 260 A, à une température de boîtier de 25°C. Proposé en boîtier PMPAK5x6, dont l’empreinte est compatible avec celle du format SO-8 classique, il est typiquement destiné aux architectures de conversion DC-DC.
