L’ex-activité Mémoires de Toshiba s’apprête à échantillonner des mémoires flash Nand à 112 couches, avec à la clé des gains en densité mais aussi en lecture et en écriture. 

Kioxia va échantillonner au premier trimestre 2020 sa cinquième génération de mémoires flash Nand 3D, dites BiCS, des modèles à 112 couches empilées. Les premiers modèles, à trois bits par cellule (TLC), embarqueront 512Gbits (64Go). Des versions TLC à 1Tbits et QLC (quatre bits par cellule) à 1,33Tbits suivront. Par rapport aux mémoires flash BiCS à 96 couches du japonais, les puces à 112 couches offrent une densité supérieure de 20% et bénéficient d’une interface accélérée de 50%, de meilleures performances en écriture et d’une latence réduite en lecture. Développée conjointement avec Western Digital, cette cinquième génération de flash Nand 3D sera fabriquée dans l’usine Kioxia de Yokkaichi et dans celle, toute neuve, de Kitakami.