Le centre de R&D flamand utilise un alliage InGaAs pour les canaux de conduction d’une mémoire flash Nand à empilement vertical/

L’Imec a profité de la conférence IEDM qui se tient actuellement à Washington pour présenter une mémoire flash Nand verticale (V-Nand) fabriquée en technologie InGaAs, avec des connexions mesurant seulement 45nm. Ce matériau permet selon le centre belge de R&D en microélectronique d’améliorer la tranconductance et le courant de lecture, et donc d’empiler plus facilement des couches de cellules mémoires supplémentaires.