Toshiba échantillonne un IGBT 1350 V/40 A avec sa diode anti-parallèle, essentiellement destiné aux applications de chauffage par induction. Toshiba Electronics Europe annonce son premier IGBT haute vitesse dont la tension de blocage atteint 1350 V.
Destiné aux topologies d’onduleurs à résonance, le composant entend répondre à la demande actuelle en matière d’IGBT haute tension destinés aux applications de chauffage par induction.
Référencé GT40RR21, cet IGBT canal N à enrichissement inclut la diode de roue libre à faible temps de recouvrement inverse. Son courant maximal de collecteur est de 40 A à 25 °C et de 35 A à 100 °C. En valeur typique, la tension de saturation est de 2 V à 25 °C.
Pendant une durée de 3 µs, le transistor est cependant apte à encaisser des pointes de courant de 200 A. Enfin, il est conçu pour supporter une température de jonction de 175 °C.
Le GT40RR21 est actuellement échantillonné dans un boîtier TO-3P(N), équivalent au TO-247, dont les dimensions sont de 15,5 x 20 x 4,5 mm. La production en volume est prévue pour le troisième trimestre 2012.
