Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante lors de la conférence ISSCC.

San Francisco – Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires Dram HBM2E de 16Go lors de la conférence ISSCC. Si l’état de l’art des HBM2 concerne des mémoires de 8Go (par empilement de huit puces Dram sur une couche de base) dotées d’une bande passante de 2,7Gbit/s/broche, les travaux présentés à San Francisco concernent des modèles de 16Go culminant à 5Gbit/s/broche (huit puces Dram de 2Go chacune en process 10nm), soit 640Go/s pour l’ensemble de la mémoire. A ce niveau de rapidité, le défi consiste à maintenir la synchronisation des bus de données aussi précise que possible tout en s’affranchissant des perturbations engendrées par les variations brutales de courant d’alimentation, les variations de process et les erreurs de lecture et d’écriture. Un mécanisme d’auto-test intégré ou MBIST (memory built-in self-test) a également été implémenté pour s’affranchir des défauts de fabrication. Les mémoires HBM2E de 16Go de Samsung et SK Hynix mesurent toutes deux 10x11mm.