Le fabricant sud-coréen présente l’étage d’émission-réception multistandard qui équipera ses premiers smartphones 5G.

San Francisco – La 5G est l’un des thèmes phares de l’édition 2019 de la conférence ISSCC. En témoigne par exemple la présentation par Samsung d’un frontal d’émission-réception 5G NR (en-deça de 6GHz) fabriqué en technologie FinFET 14nm. Ce circuit permet de recevoir 3,15Gbit/s et d’émettre 1,27Gbit/s. Il couvre toutes les bandes usuelles comprises entre 450MHz et 5,925GHz (2G, 3G, 4G et 5G) au moyen de quatorze étages de réception et deux étages d’émission, qui rendent possibles les techniques d’agrégation de porteuse, de flux MIMO et de double connexion LTE/NR, avec des largeurs de canaux extensibles à 100MHz. Ce caractère multitâche lui confère toutefois un certain enbompoint, puisque la puce mesure 38,4mm² en 14nm alors qu’un frontal 2G/3G/4G tient actuellement dans une puce 40nm de 13mm².