Toshiba et Western Digital ont développé une mémoire flash Nand à 128 couches empilées et trois bits par cellule offrant une vitesse d’écriture de 132 Mo/s. 

San Francisco – Toshiba Memory, associé à Western Digital, a présenté à ISSCC une mémoire flash 3D à 128 couches et trois bits par cellule battant des records de densité, à 7,8Gbit/mm², soit 31% de plus que les versions à 96 couches du japonais.

Cette flash Nand de 512Gbit repose sur plusieurs innovations. La première est l’utilisation d’une architecture de type circuit under array (CUA) qui, comme son nom l’indique, relègue sous les cellules mémoires la circuiterie nécessaire (amplificateurs de détection, commutateurs de données, etc.).

Ensuite, Toshiba a mis en œuvre un système de réduction de la consommation maximale qui optimise la gestion de multiples puces mémoires.

Enfin, le japonais a instauré une lecture par pages de 4Ko en simplifiant la sélection de pages successives, ce qui abaisse encore la consommation par rapport à une lecture plus classique par pages de 16Ko. Grâce à ses quatre plans de données, qui doublent les accès parallèles en comparaison d’une flash usuelle à deux plans, le circuit présenté à ISSCC affiche une vitesse d’écriture très élevée de 132Mo/s.