Le japonais développe une mémoire flash Nand à empilement embarquant 512 Gbits répartis sur 96 couches, pour une densité inégalée.

San Francisco – Toshiba a présenté lors d’ISSCC une mémoire flash Nand à empilement vertical (technologie BiCS) comportant pas moins de 96 couches pour une capacité totale de 512Gbits, deux fois plus que le modèle annoncé l’été dernier et qui devrait entrer en production de volume cette année. La mémoire présentée à San Francisco repose sur une architecture de cellule à trois bits (TLC) et offre une densité de 5,95Gbit/mm², à comparer aux 3,88Gbit/mm² de la génération précédente à 64 couches.

Un nouveau mode de contrôle de démarrage a permis de diminuer de 7% le temps d’écriture, tandis qu’un meilleur suivi de la tension de transfert accélère le temps de lecture (300µs) et que le délai de transfert entre l’amplificateur de détection et le cache données a été divisé par deux (gain de 3,5µs).