Micron intègre 768 Gbits de mémoire flash Nand sur une puce de 179,2 mm².

San Francisco – Micron a présenté lors d’ISSCC ce qu’il considère comme la flash Nand verticale la plus dense de l’industrie, atteignant 4,29Gbit/mm². Micron utilise pour cela une structure de cellule mémoire à grille flottante et non pas à capture de charge comme c’est généralement le cas pour les flash Nand verticales.

Micron empile ici 32 couches de cellules à 3 bits/cellule, dans une structure originale où l’ensemble des blocs de traitement du signal (chemins de données, buffers de page, pompes de charge, drivers, etc.) sont formés en-dessous du réseau de cellules mémoires proprement dites. Il devient dès lors possible de segmenter les lignes de mots (word lines) et les lignes de bits (bit lines) pour gagner en rapidité d’accès : le débit de données atteint ici 800Mo/s en lecture et 44Mo/s en écriture.