Samsung a présenté une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm.
San Francisco – Samsung a présenté à la conférence ISSCC une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm. Pour concevoir cette Sram FinFET dont les cellules mémoires ne mesurent que 0,064 µm² – un record dans l’industrie -, le coréen a mis en œuvre divers ajustements afin de compenser le fait que les transistors tridimensionnels se prêtent moins facilement aux modifications physiques que leurs homologues planaires, ce qui complique sensiblement l’obtention de cellules fonctionnelles et la différenciation entre les cellules hautes performances et celles optimisées pour la densité. Ces ajustements permettent aux deux types de cellules de fonctionner ici sous 0,5 V seulement, un gain de 200 mV environ, appréciable pour l’autonomie des appareils nomades.
