Samsung a développé une mémoire Dram DDR4 basse consommation de 8 Gbits fabriquée en Cmos 25 nm et délivrant jusqu’à 3,2 Gbit/s par broche sous 1 V.

San Francisco – Samsung a profité d’ISSCC pour présenter la première mémoire Dram DDR4 basse consommation de l’industrie, un modèle de 8 Gbits fabriqué en Cmos 25 nm et délivrant jusqu’à 3,2 Gbit/s par broche sous 1 V seulement, deux fois plus que la LPDDR3 existante. Cette Dram LPDDR4 intègre, c’est une première, un bloc de correction d’erreurs ECC afin de limiter les erreurs causées par une tension de travail interne réduite à 0,9 V. Sa production en volume est prévue pour cette année.