ISSCC 2012 : Les mémoire ReRam continuent de progresser

Le 27/02/2012 à 16:22 par Frédéric Rémond

Panasonic a présenté à San Francisco une macro ReRam de 8 Mbits offrant un débit de données de 443 Mbit/s en écriture. San Francisco – Panasonic a présenté à San Francisco une macro ReRam de 8 Mbits qui se distingue tant par sa rapidité, avec un débit de données de 443 Mbit/s en écriture (écriture de 64 bits en parallèle sur un cycle de 17,2 ns) que par sa faible consommation, grâce notamment à l’utilisation – une première selon le japonais – d’une diode bidirectionnelle pour la sélection de cellule mémoire. Le temps d’accès en lecture, lui, ne dépasse pas 25 ns.

Cette macro réalisée en technologie Cmos 0,18 µm démontre la faisabilité de mémoires ReRam haute densité rapides“, avance Akifumi Kawahara, responsable du projet chez Panasonic.

Copy link
Powered by Social Snap