L’américain confirme son intérêt pour la mémoire non volatile FeRam dans les applications nécessitant une très faible consommation. San Francisco – Texas Instruments a présenté à ISSCC un microcontrôleur très basse consommation à mémoire FeRam (16 kbits) embarquée. Architecturé autour d’un cœur 16 bits MSP430 cadencé jusqu’à 24 MHz, ce circuit se distingue par une consommation réduite à 82 µA/MHz (cas d’un taux de réussite/échec de cache de 3/1). Ce niveau de frugalité est notamment obtenu grâce à l’emploi de mémoire FeRam, qui n’est pas handicapée par les pics de courant typiques de la mémoire flash en écriture et effacement. “Dans ce type de système, la FeRam permet d’écrire des données 1000 fois plus vite tout en consommant 100 fois moins d’énergie qu’une flash“, estime Michael Zwerg de Texas Instruments.

Cette rapidité offre également une meilleure sécurité de fonctionnement. En cas de court-circuit ou de déconnexion de la source d’énergie, un condensateur intégré de 2 nF, relié au régulateur à faible chute de tension dédié à l’alimentation de la mémoire non volatile, permet de finaliser l’accès et le cycle d’écriture ou de lecture en cours ; avec une mémoire flash, il faudrait un condensateur 100 fois plus imposant selon Texas Instruments.