Samsung, Hynix et Micron présentent des mémoires flash Nand ultra-rapides en technologie Cmos 32 nm. Samsung, Hynix Semiconductor et Micron ont tous trois présenté à ISSCC des mémoires flash Nand 32 Gbits affichant une vitesse d’écriture de 12 à 13 Mo/s et fabriquées en technologie Cmos 32 nm. Pour ces fabricants, l’un des objectifs principaux consiste à limiter l’encombrement de l’interface haut débit de la mémoire à mesure que les débits de données imposent le recours au mode DDR et que la taille des pages mémoires tend à augmenter.

Samsung a opté pour une interface DDR asynchrone permettant jusqu’à 200 Mo/s en lecture, utilisant une pipeline à deux niveaux. Micron, lui, a choisi une interface DDR synchrone (en plus de l’accès flash asynchrone classique). Hynix a pour sa part implémenté un algorithme de vérification en lecture qui diminue de 30 % les erreurs dues aux aléas de rétention de charge pour atteindre la barre des 13 Mo/s.