Les deux fabricants vont échantillonner cette année une mémoire non volatile bien plus rapide et endurante que les flash Nand actuelles.

Intel et Micron ont annoncé la technologie 3D XPoint, une mémoire non volatile mise au point par les deux américains et censée révolutionner le marché. Les mémoires XPoint seraient en effet jusqu’à mille fois plus rapides et endurantes que les flash Nand et dix fois plus denses que les DRam, pour un prix se situant quelque part entre ces deux technologies matures.

Intel et Micron en ont d’ores et déjà démarré la production dans leur usine commune de Lehi (Utah). L’échantillonnage d’un circuit 128 Gbits est prévu pour cette année. Peu de détails, en revanche, sur la technologie elle-même : tout juste sait-on qu’il s’agit d’une structure tridimensionnelle avec des cellules mémoires sans transistor.