Le fabricant américain a détaillé plusieurs de ses technologies de production de semi-conducteurs, notamment des process FinFET 10 nm et 22 nm basse consommation.

Intel a profité de son Technology and Manufacturing Day, qui s’est tenu le 19 septembre à Pékin, pour annoncer plusieurs avancées dans le domaine de la production de semi-conducteurs. L’américain a donné quelques détails supplémentaires sur sa technologie FinFET 10nm, son responsable de la production et des ventes Stacy Smith (notre photo) présentant même une tranche de processeurs Cannon Lake produits dans cette technologie qui servira également à fabriquer les FPGA connus aujourd’hui sous le nom de code Falcon Mesa.

Intel a également décrit une technologie FinFET 22nm baptisée 22FL et destinée aux applications mobiles. Réponse aux alternatives de type FD-SOI, ce process permettrait de fabriquer des processeurs cadencés jusqu’à 2GHz avec une consommation réduite d’un facteur 100. On notera également la présentation d’une puce prototype 10nm embarquant des coeurs ARM Cortex-A75 tournant jusqu’à 3GHz, et le lancement d’un disque dur SSD basé sur des mémoires Nand 3D à 64 couches de cellules TLC (triple level cell).