Infineon s’initie aux transistors durcis

Le 11/09/2012 à 16:09 par Frédéric Rémond

L’allemand inaugure une famille de Mos de puissance visant les applications aéronautiques et spatiales. Infineon Technologies lance les BUY25CSXX, sa première famille de transistors Mos durcis aux radiations et visant les applications aéronautiques et spatiales. Ces transistors Mos de puissance 100 V et 250 V sont conformes à la norme ESCC5000.

Ils présentent une résistance à l’état passant de 20 mOhms (pour les modèles encapsulés en boîtier SMD2), supportent une charge d’ionisation totale (TID) supérieure à 100 krad et résistent aux effets SEE jusqu’à 55 MeV.cm²/mg.

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