Avec la série RC-H5, l’allemand a réduit de quelque 30 % les pertes en régime de commutation par rapport à la génération RC-H3 antérieure.

Infineon Technologies complète son catalogue d’IGBT discrets avec la série RC-H5 (Reverse Conducting) dédiée aux applications de chauffage par induction. Par rapport à la précédente génération (RC-H3), les pertes en commutation ont été réduites jusqu’à 30%. Ce qui permet de faire fonctionner ces IGBT à une fréquence plus élevée (jusqu’à 30 kHz) et donc de réduire les coûts en faisant appel à une bobine plus petite.

Inaugurant cette nouvelle famille, le modèle IHW20N135R5 est caractérisé par une tenue en tension inverse de 1350 V et par un courant collecteur de 20 A (à une température de boîtier de 100°C). Présenté dans un boîtier TO-247, il supporte une température de jonction de 175°C.

Dans une structure monolithique cet IGBT inclut une diode dont la tension directe est typiquement de 1,65 V, à une température de jonction de 25°C.

Une version 1200 V/20 A (IHW20N120R5), en boîtier TO-247 également, devrait être annoncée au second trimestre de cette année.