A l’occasion de la manifestation PCIM, l’allemand a dévoilé la troisième génération de ses IGBT rapides. Par rapport à leurs prédécesseurs, les pertes de commutation ont été abaissées de quelque 35 %. Infineon Technologies introduit la troisième génération d’IGBT 600 V et 1200 V haute vitesse, dite High Speed 3. Ces composants discrets sont optimisés pour les applications haute fréquence et à commutation dure. Cela inclut : les onduleurs pour panneaux solaires, les postes de soudage électrique, les alimentations à découpage et secourues…
Les nouveaux venus concernent les topologies mettant en œuvre des fréquences de commutation jusqu’à 100 kHz. Par rapport aux IGBT de génération antérieure, les pertes au blocage ont été réduites de 35 %. Et ce grâce à une diminution de quelque 75 % de la durée du courant de queue. Par ailleurs, les pertes en régime de conduction restent modérées grâce au faible Vce(sat) caractérisant la technologie Trenchstop adoptée.
Les membres de la famille High Speed 3 sont proposés selon différents modèles, avec ou sans diode de roue libre. Les tenues en courant vont de 20 A à 50 A en gamme 600 V et de 15 A à 40 A en gamme 1200 V.
En petites quantités, les prix s’échelonnent entre 1,90 € (600 V, 20 A) et 5,10 € (1200 V, 40 A).
