Affichant une résistance à l’état passant au mieux de 10 mOhms, les Mosfet à superjonction de la famille S7 remplaceront avantageusement les Mosfet classiques dans de nombreuses applications de puissance.

Infineon Technologies annonce la famille C7 de transistors CoolMOS de 600V destinés au remplacement des Mosfet classiques mis en oeuvre dans les applications de commutation basse fréquence. Ces nouveaux Mosfet à superjonction haute tension ont été développés pour minimiser les pertes en régime de conduction, améliorer la résistance thermique et obtenir une forte capacité en courant impulsionnel. Ils trouveront leur juste emploi dans les ponts redresseurs actifs, les onduleurs et les automates programmables industriels, comme coupe-circuits et relais de puissance à l’état solide. Leur résistance à l’état passant de 10 mOhms serait la plus basse du marché. Pour ce faire, ils tirent profit d’un boîtier innovant à refroidissement par la face supérieure dit QDPAK. Les versions en boîtier TO plus traditionnel sont quant à eux caractérisés par une résistance à l’état passant de 22 mOhms.