L’allemand a procédé à l’échantillonnage de quatre transistors Mos de puissance 650 V issus des séries C6/E6. Infineon Technologies introduit les séries C6/E6 de transistors CoolMos à tension de blocage de 650 V. Il s’agit là de la sixième génération de transistors Mos de puissance à superjonction de l’allemand.
Les modèles C6 et E6 sont basés sur la même technologie. Les premiers sont caractérisés par une grande facilité d’emploi, alors que les seconds ont été optimisés pour obtenir un rendement supérieur dans les systèmes fonctionnant en mode de conduction discontinue.

Vis-à-vis de leurs prédécesseurs issus de la famille C3, ces transistors offrent un stockage d’énergie dans la capacité de sortie de 20 % inférieur. Par ailleurs, l’amélioration de la diode en inverse se traduit par une plus grande robustesse en situation de commutation dure. La charge de recouvrement inverse a pour sa part été réduite de 25 %.

Pour l’heure, quatre composants sont échantillonnés en boîtiers TO-220 FullPAK, pour une mise en production en juillet 2010.
Les IPA65R280C6 et IPA65R280E6 affichent une résistance à l’état passant de 280 mOhms. Cette dernière est de 380 mOhms pour les IPA65R380C6 et IPA65R380E6. Par 10 000 pièces, les deux premiers cités sont proposés à 2,9 $.