Vis-à-vis de la génération précédente, ces diodes affichent une tension directe plus faible et une robustesse améliorée.

Infineon Technologies introduit sa cinquième génération de diodes Schottky 1200V en carbure de silicium. Ces composants de la famille thinQ! sont crédités d’une tension directe ultra-faible, d’une grande robustesse vis-à-vis des transitoires de courant et un d’excellent comportement thermique. Ce qui en fait un choix tout indiqué dans les onduleurs solaires, les alimentations secourues (UPS), les alimentations à découpage triphasées et les applications de commande de moteur.

A une température de jonction de 150°C, la tension directe est typiquement de 1,7V, une valeur de 30% inférieure à celle des diodes de génération précédente. Par ailleurs, ces diodes supportent un courant transitoire dont l’intensité est quatorze fois supérieure à celle du courant nominal.

Les thinQ! G5 sont disponibles en boîtiers TO-247, TO-220 ou DPAK, dans la gamme 2A à 40A. Parmi elles, des modèles avec deux diodes en cathode commune sont proposés.