Par rapport aux produits concurrents, ces Mosfet de 60V, 80V et 100V offrent une résistance à l’état passant inférieure de 11% à 40%.

Infineon Technologies introduit une nouvelle famille de Mosfet canal N, dont la tension de seuil est compatible avec les niveaux logiques de commande des microcontrôleurs. Ces composants sont proposés en versions de 60V (IRL60HS118), 80V (IRL80HS120) et 100V (IRL100HS121). Ils sont disponibles dans un boîtier PQFN, dont les dimensions sont de 2x2mm seulement. Cette faible empreinte les prédestine aux applications (chargeurs sans fil, adaptateurs…) pour lesquelles le facteur de forme est critique.

Selon la société, ces Mosfet affichent une résistance à l’état passant de 11% à 40% inférieure des celle des produits concurrents. La faible charge de grille réduit les pertes en régime de commutation. Par ailleurs, la capacité de sortie et la charge de recouvrement inverse ont été optimisées et le facteur de mérite (le produit de la charge de grille par la résistance à l’état passant) amélioré. Ce qui permet l’utilisation de ces transistors à des fréquences de commutation aussi élevées que 6,78MHz, qui est la fréquence utilisée dans les applications de recharge sans fil à résonance.