Les nouveaux modules Mosfet 1200V de la famille CoolSiC de l’allemand ciblent essentiellement les marchés des alimentations UPS et du stockage de l’énergie.

Afin de répondre à une forte demande en solutions de puissance à base de semi-conducteurs en carbure de silicium, Infineon introduit des modules de 1200V à Mosfet SiC. Ces nouveaux membres de la famille CoolSiC sont typiquement destinés aux alimentations secourues (UPS) et aux systèmes de stockage de l’énergie. Ils sont proposés dans un boîtier Easy 2B standard, à faibles inductances parasites, dont les dimensions sont de 62,8×48 mm. Le temps de montage sur la carte est réduit du fait de la technologie PressFit retenue.

Dans le boitier sont inclus deux Mosfet (topologie demi-pont) en SiC et une thermistance CTN. La résistance à l’état passant d’un commutateur est ici de 6mOhms seulement. Quant à la diode intrinsèque des Mosfet, elle permet d’assurer la fonction de roue libre sans ajout d’une autre diode. Par rapport à des IGBT en silicium, l’allemand met en avant une réduction des pertes de 80% en régime de commutation. De fait, la réalisation d’un onduleur dont le rendement est supérieur à 99% devient possible.