L’allemand introduit les familles Rapid 1 et Rapid 2 de diodes silicium, ultra ou hyper rapides, conçues pour les topologies de correction du facteur de puissance. A l’occasion de la manifestation APEC 2013 (Applied Power Electronics Conference & Exposition) qui s’est tenue du 17 au 21 Mars à Long Beach (Californie), Infineon Technologies a dévoilé deux familles de diodes silicium haute tension.
Issues des séries Rapid 1 et Rapid 2, ces diodes de 650 V, hyper ou ultra rapides, sont optimisées pour fonctionner avec les Mosfet CoolMOS et les IGBT Trenchstop 5 de la société.
Elles ciblent les applications de correction du facteur de puissance, à des fréquences comprises entre 18 kHz et 100 kHz.
D’un côté, les Rapid 1 affichent une faible tension directe de 1,35 V, se traduisant par des pertes limitées en régime de conduction.
De l’autre, les Rapid 2 offrent d’excellentes caractéristiques (Qrr et trr) de recouvrement inverse.
Actuellement échantillonnées, ces diodes seront disponibles en volume en mai 2013.
Par ailleurs, il est également à noter que lors de la même conférence, Infineon a introduit une nouvelle génération de DrMOS, alias DrBlade, combinant Mosfet de puissance (OptiMOS) et pilote DC-DC dans un boîtier innovant de 5 x 5x 0,5 mm.
