Il est ici question de diodes Schottky “CoolSiC” de cinquième génération améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l’industrie automobile.

Lors de la manifestation PCIM, qui s’est tenue du 5 au 7 juin à Nuremberg, Infineon Technologies a présenté ses premières diodes Schottky “CoolSiC” en carbure de silicium dédiées aux applications automobiles. Plus précisément, les chargeurs embarqués dans les véhicules électriques/hybrides (EV/HEV) actuels et futurs sont concernés. “La technologie carbure de silicium est arrivée à maturité pour autoriser son déploiement à grande échelle dans les systèmes automobiles” estime Stephan Zizala, vice-président et directeur général de l’activité “Automotive High Power” d’Infineon.

Cette famille regroupe des diodes Schottky de cinquième génération (G5) améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l’industrie automobile. Grâce à un nouveau concept de couche de passivation, la robustesse vis-à-vis de la corrosion et de l’humidité a été accrue. Par ailleurs, comme ces diodes sont réalisées sur des tranches minces (110µm), le facteur de mérite (soit le produit de la tension directe par la charge capacitive) est excellent. Avec, à la clé, des pertes énergétiques limitées. Par rapport aux diodes silicium rapides classiques, la société estime qu’il est possible d’améliorer le rendement d’un chargeur embarqué (OBC, on-board charger) de 1%, quelles que soient les conditions de charge.

Les premières diodes Schottky CoolSiC pour l’automobile seront des versions de 650V en boîtier standard de type TO-247 à trois broches. Elles seront disponibles à partir de septembre 2018.