Par rapport aux circuits antérieurs de l’allemand, la consommation a été réduite de plus de 30%. Une plus grande robustesse permet quant à elle de faire l’impasse sur des diodes de protection.

Avec la famille 1EDN EiceDRIVER, Infineon Technologies annonce des pilotes de grille pour les Mosfet et les IGBT silicium, mais aussi pour les transistors de puissance en GaN. Ces drivers monovoies côté bas offrent un brochage au standard de l’industrie, ce qui rend possible la mise à niveau sur les designs existants.

Par rapport aux circuits précédents de l’allemand, grâce à des étages de sortie à faible résistance, la consommation a été réduite de plus de 30%. Par ailleurs, avec une caractéristique de courant inverse de 5A, la robustesse a été améliorée. Ce qui permet de faire l’impasse sur des diodes de protection lorsque les inductances parasites de source sont élevées (cas typique des boîtiers TO-220 et TO-247). Pour ce qui est du verrouillage en cas de tension basse (UVLO), les options possibles sont 4V et 8V.

Les E1DN sont proposés selon trois boîtiers : SOT-23 à six broches (1EDN7511B et 1EDN8511B), SOT-23 à cinq broches (1EDN7512B) et WSON à six broches (1EDN7512G). Ils sont destinés aux alimentations à découpage pour l’industrie et les télécoms, aux convertisseurs DC-DC, aux systèmes de redressement synchrone et de correction du facteur de puissance, à l’outillage électrique, aux stations de recharge sans fil, à la commande de moteur.