Par rapport aux CoolMOS CP de précédente génération, les pertes à l’ouverture ont été diminuées de moitié.
Infineon Technologies lance la série C7 de CoolMOS de 600V, des Mosfet à superjonction dont les pertes à l’ouverture ont été divisées par deux par rapport aux CoolMOS CP antérieurs. La réduction des pertes de commutation se traduira ainsi par une amélioration significative du rendement dans les alimentations à découpage de forte puissance pour les centres de données ou les stations de base. Alternativement, la diminution de la charge de grille et de la capacité de sortie autorisera le doublement de la fréquence de commutation, au prix d’une pénalité marginale sur le rendement. La taille moindre des éléments magnétiques aura alors des répercussions favorables sur leur coût.
Afin d’assurer la sécurité des approvisionnements, deux lignes de production sur tranches de 300 mm seront dévolues aux CoolMOS C7 600V. Ceux-ci seront initialement proposés en boîtiers TO-22à, TO-247 et TO-247 à quatre broches, avec des RDS(on) s’échelonnant entre 40 et 80 mOhms. Des versions en boîtiers TO-220 FP, DPAK et D²PAK et ThinPAK suivront.
Par ailleurs, Infineon a introduit un nouveau pilote à deux voies indépendantes de 5A, issu de la famille EiceDRIVER, pour la commande de grille de Mosfet. Référencé 2EDN7524, ce circuit est caractérisé par des temps de montée et de descente de 5ns seulement.
