Le sud-coréen affiche des gains de productivité, de performance et de consommation significatifs avec son dernier process dit 1Z nm, qui produira en volume des puces mémoires DDR4 de 16 Gbits l’an prochain.

SK Hynix a démarré la production de mémoires Dram DDR4 de 16Gbits en technologie 1Znm, avec un gain de productivité de 27% par rapport à son précédent process dit 1Ynm. Le sud-coréen n’a pas dû avoir recours à la lithographie aux ultraviolets extrêmes pour assurer cette transition, ce qui permet selon lui de mieux contenir les coûts de production. Ces nouvelles Dram 1Znm offrent un débit de données de 3200Mbit/s. Elles permettent de diminuer de 40% la consommation de modules mémoires par rapport aux mémoires Dram 1Ynm de 8Gbits. Des efforts particuliers ont été apportés à la capacitance des cellules mémoires, maximisée grâce à un nouveau design et à l’ajout d’un matériau inédit au cours du process. La production en volume démarrera l’an prochain. Cette technologie 1Znm sera également appliquée aux mémoires LPDDR5 et HBM3.