Le sud-coréen dote ses mémoires flash à couches empilées d’une architecture innovante afin d’en augmenter les performances et le rendement.
SK Hynix initie la production en volume de mémoires Flash Nand à 96 couches empilées d’une capacité de 512Gbits basées sur des cellules TLC (trois bits par cellule) à capture de charge utilisant la technologie PUC (Peri Under Cell), une première dans l’industrie selon le sud-coréen. Consistant à placer la logique sous les cellules mémoires et non plus à côté d’elles, cette méthode baptisée 4D par Hynix permettrait d’obtenir des performances et une productivité supérieures à celle des mémoires PUC empilées à grille flottante classiques, dites 3D et fabriquées également par Samsung, Toshiba et Micron. Par rapport à ses propres modèles de Nand 3D 512Gbits à 72 couches, Hynix évoque un gain de 49% en bits/tranche, 30% en écriture et 25% en lecture, avec une bande passante atteignant 1200Mbit/s sous 1,2V. Hynix prévoit déjà pour 2019 des modèles flash Nand 4D à 96 couches TLC et QLC (quatre bits par cellule) de 1Tbits.
