Bénéficiant d’une technologie en tranchée à grille blindée, le Mosfet 60 V de Fairchild affiche une résistance à l’état passant de 2,5 mOhms seulement. Référencé FDMS86500L, le dernier Mosfet 60 V de Fairchild Semiconductor vise à répondre aux exigences des applications de commande de moteurs, de commutation de charge, de redressement synchrone et d’insertion à chaud en matière de rendement énergétique.
Pour ce faire, ce transistor canal N en boîtier Power56 de 5 x 6 mm bénéficie d’une technologie en tranchée à électrode de grille blindée. Celle-ci a pour double effet de diminuer les pertes et d’accroître la densité de puissance.

Ainsi, sous une tension grille-source de 10 V et avec un courant de drain de 10 A, la résistance à l’état passant du FDMS86500L (pour un Mosfet 60 V la résistance épitaxiale est la principale contributrice au R_DS(on)) est de 2,5 mOhms seulement. Cette valeur est annoncée comme la plus basse de l’industrie, en comparaison avec les Mosfet en tranchée émanant de la concurrence opérant dans des conditions similaires.
Un autre avantage de la structure verticale à grille blindée adoptée est le transfert de la plus grande partie de la capacité grille-drain en une capacité grille-source. La charge de grille (Q_gd) est ici limitée à 11 nC. Cela se traduit par une amélioration des performances en régime de commutation et évite l’usage de snubbers dans la plupart des applications.

Le FDMS86500L est le premier élément d’une gamme de Mosfet qui sera étoffée par des modèles dont la tenue en tension est supérieure à 60 V. Par 1000 pièces, son prix unitaire est de 0,9 $.
Notons que ce transistor et la technologie mise en œuvre ont fait l’objet d’une présentation lors de la manifestation PCIM qui se tient actuellement à Nuremberg.