Proposés dans des petits boîtiers de 3 mm de côté, les FDMC86xxxP permettent de réduire la dissipation de puisance jusqu’à hauteur de 50 %.

Avec la famille FDMC86xxxP, Fairchild Semiconductor lance des Mosfet de puissance canal P en petits boîtiers, conçus tant pour les applications de commutation de charge que celles nécessitant une haute vitesse de commutation.

La série inclut les FDMC86261P et FDMC86139P, de 150 V et 100 V, respectivement. Selon la société, par rapport aux meilleurs produits concurrents, ces Mosfet affichent un facteur de mérite (le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille) amélioré de 67 %. Les pertes en régime de conduction ont été abaissées de 46 % et celles en commutation de 38 %.

Cestransistors sont proposés dans des boîtiers MLP de 3×3 mm, à un prix unitaire de 0,8 $ (FDMC86261P) ou 0,68 $ (FDMC86139P) par quantité de 1000 pièces.