Dans les applications de puissance, le facteur coût ne serait dès lors plus à un obstacle à l’adoption des transistors en GaN pour remplacer les Mosfet en silicium.

EPC (Efficient Power Conversion) complète sa famille eGaN de transistors de puissance en nitrure de gallium avec des modèles de 60V et 100V. Le prix de ces Fet est annoncé très compétitif vis-à-vis des Mosfet comparables en silicium. Ainsi, les EPC2035 (60V) et EPC2036 (100V) sont proposés à des prix unitaires respectifs de 0,36$ et 0,38$, par quantité de 1000 pièces. Pour 10000 pièces, ces prix sont ramenés à 0,29$ et 0,31$. Des cartes de développement (EPC9049 et EPC9050) sont également disponibles à 104$ l’unité.

A résistance drain-source équivalente et pour la même tenue en tension, la société fait état d’une surface de puce divisée par quatre par rapport à un Mosfet. Par ailleurs, les pertes en régime de commutation, représentées par la charge de grille, sont nettement inférieures.