Avec le DA8801, la société a dévoilé un circuit de commutation de puissance faisant appel à une technologie GaN, typiquement destiné aux chargeurs rapides pour smartphones et ordinateurs portables.

Dialog Semiconductor annonce son premier circuit intégré de puissance réalisé à partir d’une technologie GaN sur silicium. Pour ce faire, la société a fait appel aux services du fondeur taïwanais TSMC. Référencé DA8801, un tel élément est typiquement conçu pour être intégré dans les chargeurs rapides pour smartphones et ordinateurs portables, en association avec un contrôleur issu de la populaire famille “Rapid Charge” de Dialog.

Dans un boîtier QFN de 5 mm de côté, le DA8801 “SmartGaN” inclut : un étage de puissance en topologie demi-pont, réalisé à partir de deux transistors HEMT (High Electron Mobility Transistor) GaN de 650V/500mOhms, leurs pilotes de grille, des circuiteries de décalage de niveau et de protection. Le DA8801 sera disponible sous forme d’échantillons au quatrième trimestre 2016.

Le recours à des transistors de puissance à base de nitrure de gallium et non plus, comme usuellement, à des Mosfet en silicium, se révèle très avantageux pour réaliser des adaptateurs à fort rendement et de grande compacité. En particulier, la technologie GaN autorise une fréquence de commutation supérieure, ce qui se traduit par des composants passifs de taille réduite, donc moins volumineux. En corollaire, pour un facteur de forme donné, la puissance utile délivrée sera supérieure. La société estime qu’il est ainsi possible de réaliser un adaptateur AC-DC de 45W dont les dimensions seront similaires à celle d’un modèle de 25W actuel.