Le sud-coréen utilisera la lithographie EUV pour son nouveau process FINFET 7 nm d’ici la fin de l’année, et anticipe l’adoption d’une architecture gate all around en 3 nm sous trois à quatre ans.

Samsung a profité de son rendez-vous annuel Samsung Foundry Forum (SFF) pour détailler la roadmap de ses futures technologies de production de semi-conducteurs. Le process 7LPP, sa première technologie FinFET 7nm basée sur une lithographie aux ultra-violets extrêmes (EUV), devrait être prête pour la production au second semestre, avec des IP encore en développement et attendus pour le début de l’année 2019. La structure FinFET actuelle sera conservée sur les noeuds suivants, à savoir 5LPE et 4LPE, à l’horizon 2020.

Le passage au 3nm verra, lui, l’adoption d’une architecture de type GAA (gate all around, avec une grille entourant complètement la commande du transistor), baptisée chez Samsung MBCFET (multi-bridge-channel FET) et reposant sur des nanofeuilles. La transition vers cette technologie GAA 3 nm pourrait intervenir dès 2021/2022.