Les TLP5751/2/4 de Toshiba sont présentés dans des boîtiers SO6L dont l’épaisseur est de 54% inférieure à celle des modèles DIP8 traditionnels.

Pour commander directement les IGBT, de basse ou de moyenne puissance, ainsi que les Mosfet, Toshiba Electronics Europe a dévoilé une série de photocoupleurs encapsulés dans des boîtiers SO6L à bas profil. Ce qui représente une épaisseur de 54% inférieure à celle affichée par les boîtiers DIP8 traditionnels.

Les TLP5751, TLP5752 et TLP5754 sont caractérisés par un courant crête de sortie de ±1A, ±2,5A et ±4A, respectivement. Ce qui leur permet de piloter des Mosfet et des IGBT dans la gamme 20A à 100A. Leur distance de fuite est garantie à 8mm, leur tension d’isolation de 5kV, leur immunité aux transitoires de mode commun de ±35kV/µs et leut temps de propagation de 150ns. Enfin, leur tension d’alimentation est comprise entre 15V et 30V, pour un courant consommé inférieur à 3mA.

Ces photocoupleurs à sortie rail-à-rail supportent une température comprise entre -40 et +110°C. Ils ciblent notamment les appareils électroménagers, les équipements d’automatisation industrielle et les onduleurs nécessitant de forts niveaux d’isolation.