Qualifiés AEC-Q101, les derniers Mosfet canal N de Toshiba sont des modèles de 100V/160A et de 40V/200A.

Avec les TK160F10N1 et TK200F04N1L, Toshiba Electronics Europe complète sa gamme de Mosfet de puissance avec deux produits conçus pour les applications automobiles. Le premier est un modèle de 100V/160A, le second un modèle de 40V/200A.

Encapsulés dans des boîtiers TO-220SM(W), ces Mosfet canal N font appel au procédé U-MOSVIII-H du japonais. Ils sont caractérisés par de faibles résistances à l’état passant, soit 0,78 mOhm pour le TK200F04N1L et 2 mOhms pour le TK160F10N1.

Ces valeurs typiques sont données pour une tension grille-source de 10V. Enfin, la résistance thermique jonction-boîtier est de 0,4°C/W seulement, alors que la température maximale de jonction est de 175°C.