Les derniers Mosfet de 20V et 30V de l’américain Diodes sont encapsulés dans des boîtiers dont les dimensions sont de 0,6×0,6mm seulement.

Diodes a ajouté trois éléments à sa ligne de produits discrets destinés aux applications à fortes contraintes d’espace. Les nouveaux venus prennent la forme de transistors Mosfet en boitiers DFN0606, dont l’empreinte sur la carte est limitée à 0,6×0,6mm. Ce qui se traduit par un gain surfacique de 40% par rapport aux produits traditionnels au format DFN1006 (ou SOT883).

D’un côté, les DMN2990UFZ et DMN31D5UFZ sont des Mosfet canal N de 20V et 30V respectivement, de l’autre le DMP32D9UFZ est un modèle canal P de 30V. Tous sont susceptibles de dissiper une puissance de 300mW.