Les DTMOS IV de Toshiba sont désormais proposés dans un boîtier DFN, bien plus compact que les traditionnels DPAK et D²PAK.

Les Mosfet de puissance à superjonction DTMOS de quatrième génération (DTMOS IV) de Toshiba sont désormais disponibles dans un format de boîtier DFN à bas profil. Ces transistors de 600 V sont conçus pour la commutation rapide dans les alimentations, les ballasts d’éclairage et autres systèmes pour lesquels les traditionnels boîtiers D²PAK et DPAK s’avèrent trop encombrants.

Ainsi, avec des dimensions de 8×8 mm, le format DFN offre une empreinte de 20 % inférieure à celle d’un D²PAK. L’épaisseur de 0,85 mm est quant à elle près de trois et cinq fois inférieure à celle d’un DPAK et d’un D²PAK, respectivement.

Ces Mosfet issus de la famille TKxV60W couvrent la gamme 9,7 A à 30 A. Leur résistance à l’état passant s’étage entre 98 et 380 mOhms. Par ailleurs, la faible capacité grille-drain permet un meilleur contrôle du dv/dt.