Les derniers Mosfet basse tension en boîtier miniature de Toshiba tirent profit du procédé U-MOS IX-H de nouvelle génération de la société.
Toshiba Electronics Europe complète son offre en Mosfet basse tension avec des modèles de 30V et 60V. Des composants proposés en boîtiers compacts (DSOP Advance) à dissipation thermique améliorée grâce à un refroidissement double face. Ces Mosfet canal N font appel au procédé en tranchée U-MOS IX-H de nouvelle génération du japonais. Une réduction de la résistance à l’état passant et de la capacité de sortie se traduisent par un rendement énergétique amélioré dans différentes conditions de charge.
Pour le modèle de 30V, la RDS(on) maximale est de 0,6mOhm et la capacité de sortie de 2160pF, à une tension grille-source de 10V. Pour la version de 60V, ces valeurs sont de 1,3mOhm et 960pF. L’empreinte sur la carte est de 5x6mm.
