Samsung commence la livraison de ses premiers échantillons de cartes mémoires SD de 4Go de densité en technologie Nand MLC 20nm.

Après l’annonce de IMFT, la joint-venture Intel-Micron, faite fin janvier de la mise en production de sa Flash Nand 25nm pour ce trimestre, c’est au tour de Samsung de mettre en avant ses premières puces Nand de classe 20 nanomètres. Le coréen vient en effet de dévoiler le début de production de sa technologie pour des applications en cartes mémoires SD et en mémoire embarquée.

Avec des composants 30% plus rapides que leur équivalent en process 30nm (avec 20Mo/s en lecture et 10Mo/s en écriture), Samsung compte étoffer son offre en cartes mémoires pour les smartphones et autres applications de technologie de l’information haut-de-gamme.

Pour l’heure, le fabricant commence la livraison d’échantillons de cartes SD 32Gb Flash Nand 20nm, la production de masse étant prévue plus tard dans l’année. A terme il proposera des modèles de cartes mémoires de 4Go à 64Go de densité.

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