L’américain échantillonne des modèles 4 Mbits destinés aux applications nécessitant une fiabilité accrue.

Après avoir déjà lancé des modèles 16 Mbits l’an dernier, Cypress Semiconductor échantillonne une mémoire SRam de 4 Mbits à correction d’erreurs intégrée. Ce type de mémoires à fiabilité élevée vise l’industrie, le médical, le militaire ou encore l’automobile.

Le bloc ECC intégré permet d’abaisser le taux d’erreurs SER à moins de 0,1 FIT/Mbit. Une sortie optionnelle indique la correction des erreurs. Cette mémoire est disponible en différentes options de consommation, de largeur de mot (8 ou 16 bits), de tension d’alimentation (1,8, 3 et 5V) et de plage de température.