L’institut français Carnot LAAS CNRS et l’institut allemand Fraunhofer IISB pour les systèmes intégrés, annoncent la création de l’alliance Wisea dont l’objectif est de faciliter le développement et l’adoption des technologies de semi-condcteurs à grand gap, comme le carbure de silicium ou le nitrure de gallium. L’institut Carnot LAAS CNRS (650 personnes, 21 équipes de recherche) et l’institut Fraunhofer IISB pour les systèmes intégrés (170 chercheurs), avec la collaboration de l’Electron Devices de l’Université d’Erlangen-Nuremberg (Allemagne) et du laboratoire CEMES (Centre d’Elaboration de Matériaux et d’Etudes Structurales) du CNRS à Toulouse, viennent de créer l’alliance des semi-conducteurs à grands gaps Wisea.
Cette initiative vise à faciliter le développement et l’adoption des technologies des semi-conducteurs de puissance tels que le carbure de silicum (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN). L’alliance Wisea trouve son origine au sein des coopérations initiées pour le projet Mobisic (Mobility Engineering for SiC Devices) dans le cadre du Programme Inter Carnot-Fraunhofer PICF 2010. L’objectif étant de construire une chaîne de compétences dans le traitement des semi-conducteurs à grands gaps à partir de l’épitaxie et des procédés front-end jusqu’au packaging, y compris la caractérisation avancée et les méthodes de simulation.
Concrétement, l’alliance Wisea bénéficie de deux salles blanches dédiées à la micro et nano fabrication : l’une de 1000 m² de classe 10 à Erlangen en Allemagne, l’autre de 1500 m² de classe 100 au laboratorie LAAS CNRS à Toulouse. Ces installations sont accessibles via des contrats de recherche et des projets de collaboration cofinancés par des tierces parties.
Wisea bénéficie du soutien initial de l’Agence nationale de la recherche (ANR) et du Ministère fédéral de l’éducation et de la recherche (BMBF) d’Allemagne au sein de l’Institut Fraunhofer Programme Inter Carnot(PICF 2010) via le projet Mobisic.
