Le japonais présente un transistor Mosfet 12 V spécialement conçu pour les montages de protection de batterie et caractérisé par une épaisseur de 0,11 mm seulement ainsi qu’une faible consommation énergétique.

Optimisé pour les montages de protection de batteries Li-ion, le Mosfet 12V canal N SSM6N951L introduit par Toshiba Electronics se distingue par sa faible consommation. Celle-ci est rendue possible par une résistance à l’état passant de 4,6mOhms (sous une tension V_GS de 3,8V) et un courant de fuite grille-source de 1µA (sous V_GS=8V). Le SSM6N951L est encapsulé dans un boîtier TCSP6A-172101 de 2,4×1,67mm mesurant seulement 0,11mm d’épaisseur, ce qui facilite son insertion dans un module de batterie.